MT46V128M4FN-75:D TR是一款由美光科技生产的512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用128M x 4位的组织架构。该器件基于并联接口，时钟频率为133MHz，并利用DDR技术实现高效数据传输，访问时间低至750ps，写周期时间为15ns，提供了快速的数据读写能力。
其工作电压范围为2.3V至2.7V，采用60-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级嵌入式应用环境。该芯片为需要稳定、中等带宽内存解决方案的设计提供了成熟可靠的选择。
- 型号:MT46V128M4FN-75:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（10x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:128M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:133 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:750 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
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