MT41J512M8THU-187E:A是美光科技生产的一款4Gb容量、并行接口的DDR3 SDRAM芯片。该器件采用512M x 8的组织结构,运行时钟频率为533MHz(数据速率1066 MT/s),可提供高达8.5GB/s的峰值数据传输带宽,其访问时间低至13.125ns,能够有效满足高速数据处理系统的实时性要求。
芯片工作在1.5V标准电压下,支持包括片上终结(ODT)和温度补偿自刷新在内的完整DDR3功能集,有助于优化系统信号完整性和功耗管理。其采用82-FBGA表面贴装封装,工作温度范围为0°C至95°C,主要面向网络通信、嵌入式计算及工业控制等对性能和可靠性有严苛要求的应用领域。
- 型号:MT41J512M8THU-187E:A
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:-
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 533MHZ
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:13.125 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:82-FBGA
- 供应商器件封装:-
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