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MICRON
MT9VDDT6472HY-335F2的图片

MT9VDDT6472HY-335F2

美光(MICRON)图标
存储卡,模块 > 存储器 - 模块
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
原厂封装:封装:
优势价格,MT9VDDT6472HY-335F2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT9VDDT6472HY-335F2的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT9VDDT6472HY-335F2是美光科技生产的一款512MB容量DDR SDRAM内存模组,采用紧凑的200针SODIMM封装。该模组的核心卖点在于其333MT/s的数据传输速率,能够提供较高的内存带宽,有效提升数据密集型应用的系统响应速度与处理能力。

其标准化的接口与电气规范确保了与多种嵌入式及紧凑型计算平台的兼容性。512MB的存储容量适合作为中等规模任务运行的主内存或缓存,在有限的物理空间内实现了性能与可靠性的平衡,主要面向空间受限且需稳定内存解决方案的工业与商业电子设备。

  • 型号:MT9VDDT6472HY-335F2
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:
  • 类目:存储卡,模块 > 存储器 - 模块
  • 描述:MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 存储器类型:DDR SDRAM
  • 存储容量:512MB
  • 传输速率(Mb/s,MT/s,MHz):333
  • 封装/外壳:200-SODIMM
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