M58LR128KT85ZB5E是美光科技生产的一款128Mb并行NOR闪存芯片。该器件采用8M x 16位的组织架构，通过并联接口实现高速数据访问，其访问时间和写周期时间均为85ns，最高时钟频率可达66MHz，确保了优异的代码执行与数据存取性能。
该芯片工作电压范围为1.7V至2.0V，支持-30°C至85°C的工业级工作温度，并采用56-VFBGA表面贴装封装，适用于对可靠性、速度和功耗有严格要求的嵌入式系统。其主要为需要快速启动和直接代码执行的工业控制、通信及汽车电子应用提供非易失性程序存储解决方案。
- 型号:M58LR128KT85ZB5E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-VFBGA（7.7x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PAR 56VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:66 MHz
- 写周期时间 - 字，页:85ns
- 访问时间:85 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-VFBGA
- 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
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