MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR 是美光科技生产的一款2Gb容量移动LPDDR SDRAM芯片。该器件采用128M x 16位的组织架构和并联接口，在200MHz时钟频率下运行，凭借DDR技术实现高效数据传输。其核心优势在于为移动和嵌入式应用优化的低电压（1.7V~1.95V）供电设计，在提供5ns访问时间性能的同时，有效控制了整体功耗。
该芯片采用60-VFBGA小型化封装，支持表面贴装，适用于空间受限的设计。其工作温度范围覆盖-25°C至85°C，确保了在宽温环境下的可靠性。这些特性使其成为需要平衡性能、功耗与尺寸的便携式电子设备及工业嵌入式系统中理想的主存储器解决方案。
- 型号:MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-VFBGA（10x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:128M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:5 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-VFBGA
- 供应商器件封装:60-VFBGA（10x10）
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