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MICRON
MT41J512M8RA-15E IT:D的图片

MT41J512M8RA-15E IT:D

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(10.5x12)
优势价格,MT41J512M8RA-15E IT:D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41J512M8RA-15E IT:D的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41J512M8RA-15E IT:D是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3 SDRAM芯片,采用78-TFBGA封装。该器件基于DDR3技术标准,内部组织为512M x 8位,在667MHz的时钟频率下可实现高达1333MT/s的数据传输速率,主要面向需要并行接口和高带宽的嵌入式内存应用。

其工作电压范围为1.5V(±5%),典型访问时间为13.5ns,并支持-40°C至95°C的宽温度范围,确保了在严苛环境下的稳定运行。该芯片集成了符合JEDEC标准的关键功能,为工业控制、网络通信及汽车电子等领域的系统设计提供了一个成熟可靠的内存核心组件。

  • 型号:MT41J512M8RA-15E IT:D
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(10.5x12)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:512M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:13.5 ns
  • 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(10.5x12)
  • 想获取MT41J512M8RA-15E IT:D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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