NAND256W3A2BNXE是美光科技推出的一款256Mb（32M x 8）并行接口NAND闪存芯片，采用48-TSOP封装。该器件提供非易失性数据存储，工作电压为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保在苛刻环境下的可靠性。
其核心特性包括50ns的页写入时间和访问时间，能够实现高效的数据吞吐。32兆字节的存储容量适合用于存储程序代码、配置参数或用户数据。作为一款表面贴装型器件，它便于集成到空间受限的嵌入式应用设计中，曾广泛应用于工业控制、网络设备和消费电子等领域。
- 型号:NAND256W3A2BNXE
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PAR 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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