MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR

MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR是美光科技生产的一款128Gb容量NAND闪存芯片，采用并行接口和MLC技术。该器件提供16G x 8位的组织架构，工作电压为2.5V至3.6V，能在0°C至70°C的商业温度范围内稳定运行。

其核心优势在于将高密度存储与标准的并行接口相结合，支持高速数据传输，适用于对存储带宽有要求的应用。芯片采用132-VBGA表面贴装封装，便于在空间受限的设计中进行集成，为非易失性数据存储提供了可靠的解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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