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MICRON
MT8HTF6464HY-40EB3的图片

MT8HTF6464HY-40EB3

美光(MICRON)图标
存储卡,模块 > 存储器 - 模块
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:MODUL DDR2 SDRAM 512MB 200SODIMM
原厂封装:封装:
优势价格,MT8HTF6464HY-40EB3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT8HTF6464HY-40EB3的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT8HTF6464HY-40EB3是美光科技生产的一款512MB容量DDR2 SDRAM内存模组,采用标准的200针SODIMM封装。该模组设计紧凑,适用于空间受限的嵌入式与便携式设备平台。

其核心性能表现为400MT/s的数据传输速率,能够提供满足中等复杂度应用所需的内存带宽。结合DDR2技术标准的1.8V工作电压,它在性能与功耗之间取得了良好平衡,有助于提升系统的整体能效。此模组严格遵循行业规范,确保了与主流嵌入式主板和平台的兼容性,是工业控制、网络通信及商用终端设备中可靠的内存升级或配置选择。

  • 型号:MT8HTF6464HY-40EB3
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:
  • 类目:存储卡,模块 > 存储器 - 模块
  • 描述:MODUL DDR2 SDRAM 512MB 200SODIMM
  • 系列:-
  • 包装:盒
  • 产品状态:停产
  • 存储器类型:DDR2 SDRAM
  • 存储容量:512MB
  • 传输速率(Mb/s,MT/s,MHz):400
  • 封装/外壳:200-SODIMM
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