MT41J512M4HX-15E:D是美光科技生产的一款2Gb容量DDR3 SDRAM存储器。该芯片采用512M x 4的架构，基于DDR3技术标准，提供高达1333MT/s的数据传输速率（对应时钟频率667MHz），能够满足对数据带宽有较高要求的应用。
其工作电压为1.5V（±5%容差），在保证性能的同时优化了功耗。芯片采用78-TFBGA封装，支持表面贴装，访问时间为13.5ns，并可在0°C至95°C的结温范围内稳定工作。这些特性使其适用于需要并行接口、快速响应及可靠运行的嵌入式系统和网络通信设备。
- 型号:MT41J512M4HX-15E:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:512M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:667 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
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