MT47H128M4CB-5E:B

MT47H128M4CB-5E:B是美光科技推出的一款512Mb容量DDR2 SDRAM存储器，采用并联接口和60-FBGA表面贴装封装。其核心架构基于双倍数据速率技术，在200MHz的时钟频率下可实现400MT/s的有效数据传输速率，为系统提供较高的数据带宽。

该芯片工作电压为1.8V（范围1.7V~1.9V），在降低功耗的同时，其600ps的访问时间和15ns的写周期时间保证了快速的数据读写性能。其128M x 4位的组织形式适用于32位数据总线宽度的设计。作为一款成熟的商用级（0°C至85°C）解决方案，它主要面向需要可靠、中等性能存储单元的嵌入式系统和网络设备等应用领域。

• 制造商产品型号：MT47H128M4CB-5E:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：600ps
• 电压-供电：1.7V ~ 1.9V
• 工作温度：0°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-FBGA
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