MT29F1T208ECCBBJ4-37ES:B TR

MT29F1T208ECCBBJ4-37ES:B TR是美光科技推出的一款高密度、高性能NAND闪存芯片。其核心卖点在于提供了高达1.125Tb（144G x 8）的非易失存储容量，采用并联接口并支持267MHz的时钟频率，能够满足对数据吞吐量有严苛要求的应用场景。

该器件工作电压范围为2.7V至3.6V，采用132-VBGA表面贴装封装，可在0°C至70°C的商用温度范围内稳定运行。其设计兼顾了高存储密度与数据可靠性，适用于需要大容量、持久化数据存储的现代电子系统。

• 制造商产品型号：MT29F1T208ECCBBJ4-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.125T PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.125Tb（144G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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