M58WR064KB70ZB6F TR是美光科技推出的一款64Mb（4M x 16位）并行NOR闪存芯片，采用56-VFBGA封装。其核心优势在于70ns的快速访问时间与高达66MHz的时钟频率，为需要高速代码读取和就地执行（XIP）的嵌入式系统提供了关键的性能支持。
该器件工作电压范围为1.7V至2.0V，功耗表现优异，并能在-40°C至85°C的宽温范围内稳定工作，确保了其在工业与汽车电子等严苛环境下的数据可靠性与长期耐用性。作为一款成熟的并行闪存解决方案，它主要面向对启动速度、代码执行效率和系统可靠性有严格要求的应用领域。
- 型号:M58WR064KB70ZB6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-VFBGA（7.7x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:66 MHz
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-VFBGA
- 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
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