MT40A512M16LY-062E AAT:E

MT40A512M16LY-062E AAT:E是美光科技生产的一款8Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用512M x 16的并行架构。该器件核心优势在于其高达1.6GHz的时钟频率，可提供3200 MT/s的数据传输速率，实现高带宽数据访问，同时标准1.2V工作电压兼顾了性能与能效。

该芯片具备19ns的访问时间和15ns的写周期时间，响应迅速。其设计坚固可靠，支持-40°C至105°C的宽工作温度范围，并采用96-TFBGA表面贴装封装，适用于空间受限且环境要求严苛的嵌入式系统与工业应用。

• 型号:MT40A512M16LY-062E AAT:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:512M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:19 ns
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）
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