MT49H8M36SJ-25:B

MT49H8M36SJ-25:B是美光科技生产的一款288Mb容量并行接口DRAM芯片。该器件采用8M x 36的组织结构，支持高达400MHz的时钟频率，并提供20ns的快速访问时间，旨在实现高带宽和低延迟的数据访问。

其工作电压为1.7V至1.9V，有助于系统节能，并采用144-TFBGA封装以适应表面贴装工艺。该芯片适用于需要高速数据缓冲和处理的网络、工业及嵌入式系统。

• 型号:MT49H8M36SJ-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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