NAND512W3A2SN6E是美光科技生产的一款512Mb容量并行接口NAND闪存芯片，采用64M x 8位的组织架构。该器件提供50ns的页写入与访问时间，电压供应范围为2.7V至3.6V，兼容主流3.3V逻辑系统。
其工作温度覆盖-40°C至85°C的工业级范围，采用48-TSOP表面贴装封装，适用于要求非易失性数据存储与宽温稳定性的嵌入式应用。该芯片为需要中等密度、低成本存储解决方案的设计提供了经过验证的硬件选项。
- 型号:NAND512W3A2SN6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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