MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR

MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR是美光科技生产的一款32Gb容量、采用Mobile LPDDR4技术的易失性存储器（DRAM）。该芯片采用1G x 32的组织结构，核心工作电压为1.1V，在提供高达1600MHz时钟频率的同时，实现了优异的功耗控制。

其设计针对移动和嵌入式应用优化，采用200-VFBGA小型化封装，支持表面贴装，工作温度范围宽达-30°C至85°C（TC）。这些特性使其成为需要高带宽、低功耗和可靠性的紧凑型电子设备的理想内存选择。

• 型号:MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-VFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 32GBIT 1.6GHZ 200VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:1G x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-VFBGA
• 供应商器件封装:200-VFBGA（10x14.5）
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