MT29F128G08CEHGBJ4-3R:G TR

MT29F128G08CEHGBJ4-3R:G TR是一款由美光科技制造的128Gb NAND闪存芯片，采用并联接口和16G x 8位的存储结构，提供高效的非易失性数据存储。其核心卖点包括大容量设计、并行数据传输能力以及2.5V至3.6V的宽电压供电范围，适合高速数据处理应用。

该芯片采用132-VBGA表面贴装封装，支持卷带包装，便于自动化生产集成。工作温度覆盖0°C至70°C，确保在商业级环境中的稳定运行，适用于嵌入式系统和存储设备等场景，兼顾性能与可靠性。

• 制造商产品型号：MT29F128G08CEHGBJ4-3R:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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