MT40A1G8WE-083E AUT:B TR是美光科技生产的一款8Gb容量DDR4 SDRAM存储器。该芯片采用并联接口和1G x 8的架构，在1.2GHz的时钟频率下运行，可提供高速的数据传输能力，适用于需要高带宽的数据处理场景。
其核心优势在于1.14V至1.26V的低工作电压范围，实现了性能与功耗的良好平衡。同时，器件支持-40°C至125°C的宽工作温度范围，并采用78-TFBGA表面贴装封装，确保了其在工业及汽车等恶劣环境下的高可靠性和紧凑的系统集成度。
- 型号:MT40A1G8WE-083E AUT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.2 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
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