MT41K512M16TNA-125 IT:E是美光科技推出的一款8Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用512M x 16位的组织架构。该器件基于并联接口，时钟频率为800MHz，可实现1600MT/s的数据传输速率，并提供13.5ns的快速访问时间，旨在满足对内存带宽和响应速度有较高要求的应用。
其核心优势在于采用了低电压技术，工作电压范围为1.283V~1.45V，在保证性能的同时有效降低了系统功耗。此外，芯片采用96-TFBGA表面贴装封装，并支持-40°C至95°C的宽工作温度范围，确保了在工业及严苛环境下的高可靠性和稳定性。
- 型号:MT41K512M16TNA-125 IT:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（10x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:512M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（10x14）
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