MT29F32G08AECBBH1-12IT:B TR是一款由美光科技制造的32Gb（4G x 8）容量NAND闪存芯片。它采用并联接口和非易失性存储技术，为核心系统提供大容量、持久化的数据存储解决方案。
该芯片支持83MHz的时钟频率，配合其并行架构，可实现较高的数据传输速率。其工作电压范围为2.7V至3.6V，并能承受-40°C至85°C的宽温工作环境，展现出良好的电源适应性与环境鲁棒性。器件采用100-VBGA表面贴装封装，适用于空间受限的嵌入式设计。
- 型号:MT29F32G08AECBBH1-12IT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:32Gb
- 存储器组织:4G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
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