M29W400DB70N6T TR 是美光科技推出的一款4Mbit容量并行NOR闪存存储器,采用48-TSOP封装。该芯片提供512K x 8位或256K x 16位的灵活组织方式,支持快速的随机访问,其访问时间与写周期时间均为70ns,确保了高效的数据读取与固件更新操作。
器件工作电压范围为2.7V至3.6V,兼容标准的3.3V逻辑电平,并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定运行。其并行接口便于与微处理器直接连接,适用于需要上电即执行代码或快速读取存储数据的嵌入式应用,是工业控制、汽车电子及网络设备等领域中存储引导程序、应用程序或关键参数的经典解决方案。
- 型号:M29W400DB70N6T TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:512K x 8,256K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
- 供应商器件封装:48-TSOP I
- 想获取M29W400DB70N6T TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料