MT49H32M18BM-18:B TR是一款由美光科技制造的576Mb容量并行接口DRAM芯片，采用32M x 18的存储结构。其核心优势在于高达533MHz的时钟频率与15ns的访问时间，能够提供高速的数据吞吐性能，满足对实时性要求较高的应用需求。
该器件工作电压为1.7V至1.9V，具备较低的功耗特性，并采用144-TFBGA表面贴装封装，支持0°C至95°C的工业级工作温度范围，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。作为一款成熟的存储器解决方案，它适用于需要高带宽数据缓冲和处理的各类嵌入式系统与通信设备。
- 型号:MT49H32M18BM-18:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:32M x 18
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:15 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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