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MICRON
MT40A1G8SA-062E AIT:E TR的图片

MT40A1G8SA-062E AIT:E TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(7.5x11)
优势价格,MT40A1G8SA-062E AIT:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT40A1G8SA-062E AIT:E TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT40A1G8SA-062E AIT:E TR是美光科技推出的一款符合AEC-Q100标准的汽车级DDR4 SDRAM。该器件提供8Gb(1G x 8)的存储容量,采用并联接口,其核心工作频率达到1.6GHz,能够实现高达3200MT/s的数据传输速率,为高速数据处理应用提供了充足的带宽保障。

该芯片设计用于严苛环境,其工作电压范围为1.14V至1.26V,并支持-40°C至95°C的宽工作温度范围。其特性包括19ns的访问时间和15ns的页写周期时间,确保了高效的数据吞吐性能。封装采用78-TFBGA形式,以卷带(TR)方式提供,适用于要求高可靠性和长生命周期的汽车电子及工业自动化系统。

  • 型号:MT40A1G8SA-062E AIT:E TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(7.5x11)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:1G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:19 ns
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(7.5x11)
  • 想获取MT40A1G8SA-062E AIT:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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