MT40A256M16GE-083E AAT:B是美光科技生产的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用256M x 16位的并行架构。该器件基于DDR4技术标准，运行时钟频率为1.2GHz，可实现高达2400 MT/s的数据传输速率，为系统提供高带宽的内存访问能力。
其核心特性包括支持片上终端电阻（ODT）以优化信号完整性，以及数据总线翻转（DBI）功能以降低功耗。芯片工作电压为1.2V典型值，符合低功耗设计趋势，并能在-40°C至105°C的宽温度范围内稳定工作，满足工业级应用的可靠性要求。产品采用96-TFBGA表面贴装封装，适用于空间受限的高密度PCB设计。
- 型号:MT40A256M16GE-083E AAT:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（9x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.2 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
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