MT29F2G08ABAGAH4-AIT:G TR是美光科技生产的一款2Gb容量、采用SLC（单层单元）NAND技术的闪存芯片，其核心架构为256M x 8位组织。该器件采用VFBGA封装，以卷带（TR）形式供货，专为要求高耐久性和数据完整性的应用而设计。
SLC技术确保了每个存储单元仅存储1位数据，这直接转化为更长的编程/擦除寿命、更快的写入速度以及更高的数据可靠性。其标准的异步接口便于系统集成，适合作为嵌入式系统中的代码存储或数据记录介质。
总体而言，这款芯片为工业控制、汽车电子、网络设备等对稳定性有严苛要求的领域提供了一个高性能、高可靠性的非易失性存储解决方案。
- 型号:MT29F2G08ABAGAH4-AIT:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（SLC）
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
- 想获取MT29F2G08ABAGAH4-AIT:G TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
