MT41K512M8DA-107 AIT:P TR是美光科技生产的一款4Gb容量、符合AEC-Q100标准的车规级DDR3L SDRAM。该器件采用512M x 8的架构，提供高达933MHz的时钟频率（等效1866 MT/s的数据速率）和20ns的访问时间，能够满足高性能嵌入式系统对数据带宽和响应速度的需求。
其核心优势在于将高性能与高可靠性相结合。工作电压低至1.283V~1.45V，有效降低了系统功耗；同时，其宽泛的工作温度范围（-40°C至95°C）和汽车级的质量认证，确保了在恶劣环境下的长期稳定运行。该芯片采用78-TFBGA封装，支持表面贴装，主要面向汽车电子、工业控制及通信基础设施等要求严苛的应用领域。
- 型号:MT41K512M8DA-107 AIT:P TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
- 想获取MT41K512M8DA-107 AIT:P TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
