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MICRON
MT36HTS51272FY-53EA3D3的图片

MT36HTS51272FY-53EA3D3

美光(MICRON)图标
存储器 - 模块
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:MODULE DDR2 4GB 240FBDIMM
原厂封装:240-FBDIMM
优势价格,MT36HTS51272FY-53EA3D3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT36HTS51272FY-53EA3D3的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT36HTS51272FY-53EA3D3是美光科技生产的一款4GB容量DDR2 SDRAM全缓冲内存模组(FBDIMM)。该模组采用240针FB-DIMM封装,其核心卖点在于通过集成的先进内存缓冲器(AMB)实现信号中继与增强,有效解决了高负载、多模组配置下的信号完整性问题。

模组运行数据速率为533MT/s,在提供稳定高带宽的同时,其4GB的单条大容量显著提升了系统的内存资源上限。此设计使其特别适用于对内存扩展性、可靠性和容量有极高要求的企业级服务器平台与数据中心基础设施。

  • Micron美光半导体完整型号: MT36HTS51272FY-53EA3D3
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 功能总体简述: MODULE DDR2 4GB 240FBDIMM
  • 系列: -
  • 存储器类型: DDR2 SDRAM
  • 存储容量: 4GB
  • 速度: 533MT/s
  • 封装/外壳: 240-FBDIMM
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