MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR是美光科技推出的一款512Gb（64GB）容量NAND闪存芯片，采用并联接口与132-VBGA封装。该器件基于非易失性闪存技术，在2.5V~3.6V电压下工作，支持高达333MHz的时钟频率，适合需要高速数据读写的嵌入式存储应用。
其核心卖点在于大容量存储与并行数据传输能力的结合，通过x8 I/O配置实现高效吞吐。尽管该型号已标记为不适用于新设计，但其宽工作温度范围（0°C~70°C）与表面贴装形式，仍使其成为现有系统升级或特定批量项目的可靠选择。
- 型号:MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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