MT29F16G08ABCBBH1-12IT:B TR是美光科技推出的一款16Gb（2G x 8）并行接口NAND闪存芯片。它采用100-VBGA封装，支持2.7V至3.6V的宽电压供电和-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。
该芯片的核心卖点在于其并行接口架构与83MHz时钟频率的结合，能够提供较高的数据吞吐能力，适用于对存储带宽有明确要求的嵌入式系统。其2GB的存储容量适合存储固件、操作系统、应用程序代码及用户数据，曾广泛应用于工业控制、网络通信及各类需要本地非易失大容量存储的电子设备中。
- 型号:MT29F16G08ABCBBH1-12IT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 16GBIT PARALLEL 100VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:16Gb
- 存储器组织:2G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
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