MT41J256M16HA-125:E 是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用256M x 16位组织架构。该器件基于并联接口，运行时钟频率为800MHz，可实现高达1600 MT/s的数据传输速率，访问时间为13.75ns，为数据密集型应用提供了高速、流畅的内存访问性能。
其工作电压为标准的1.5V，容差范围为±5%（1.425V ~ 1.575V），在保证信号稳定性的同时有助于系统能效管理。器件采用96-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），适合要求紧凑布局和一定环境适应性的嵌入式设计与网络通信设备。
- 型号:MT41J256M16HA-125:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（9x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
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