EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR是美光科技生产的一款4Gb容量LPDDR2 SDRAM芯片，采用128M x 32位的并行架构。该器件运行时钟频率为533MHz，结合DDR技术，可提供高速数据带宽，满足实时性要求高的应用需求。
其工作电压范围为1.14V至1.95V，体现了优异的低功耗特性，专为能效敏感型设计优化。芯片采用134-ball FBGA封装，支持表面贴装，并能在-40°C至105°C的宽温度范围内稳定工作，确保了在工业及汽车等恶劣环境下的可靠性。这些核心参数使其成为嵌入式移动计算和各类高性能便携设备的理想内存选择。
- 型号:EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:134-FBGA（10x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:128M x 32
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:134-WFBGA
- 供应商器件封装:134-FBGA（10x11.5）
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