MT47H256M8THN-3:H TR是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用256M x 8的存储结构。该器件基于成熟的DDR2技术，提供333MHz的时钟频率，实现高达667MT/s的数据传输速率，其快速的450ps访问时间和15ns的写周期时间能够有效满足系统对内存带宽和响应速度的需求。
芯片工作在1.8V低电压下，有助于降低整体系统功耗，并采用63-TFBGA表面贴装封装，适用于高密度PCB布局。其工作温度范围为0°C至85°C，确保了在广泛的商业及工业环境下的可靠性。这款并联接口的DRAM主要面向需要稳定、高效内存子系统的嵌入式与通信设备应用。
- 型号:MT47H256M8THN-3:H TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-FBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:450 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
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