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MICRON
M58LR128KB70ZB5E的图片

M58LR128KB70ZB5E

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 128MBIT PAR 56VFBGA
原厂封装:产品封装:56-VFBGA
优势价格,M58LR128KB70ZB5E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M58LR128KB70ZB5E的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

M58LR128KB70ZB5E是美光科技生产的一款128Mbit并行接口NOR Flash存储器芯片。该器件采用8M x 16位的存储结构,提供70ns的快速访问与写入时间,并支持高达66MHz的工作频率,确保了系统代码的高速读取与执行能力。

其工作电压范围为1.7V至2.0V,有助于实现低功耗设计,同时具备-30°C至85°C的宽工作温度范围,满足工业级应用需求。芯片采用节省空间的56-VFBGA封装,适用于对可靠性和空间有严格要求的嵌入式系统,如工业控制、汽车电子及网络设备。

  • 制造商产品型号:M58LR128KB70ZB5E
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 128MBIT PAR 56VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:128Mb(8M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:66MHz
  • 写周期时间-字,页:70ns
  • 访问时间:70ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 2V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:56-VFBGA
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