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MICRON
MT46V32M16FN-5B:F TR的图片

MT46V32M16FN-5B:F TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
原厂封装:封装:60-FBGA(10x12.5)
优势价格,MT46V32M16FN-5B:F TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT46V32M16FN-5B:F TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT46V32M16FN-5B:F TR是美光科技推出的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片,采用32M x 16位的组织架构。该器件基于DDR技术,在200MHz的时钟频率下可实现400MT/s的数据传输速率,其并联接口和高速访问特性(访问时间700ps)为系统提供了高效的数据吞吐能力。

芯片采用2.5V~2.7V供电,工作温度范围为0°C至70°C,并采用节省空间的60-TFBGA表面贴装封装。其核心卖点在于平衡了容量、速度与功耗,适用于对内存带宽和容量有明确要求的嵌入式及工业应用场景。

  • 型号:MT46V32M16FN-5B:F TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-FBGA(10x12.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR
  • 存储容量:512Mb
  • 存储器组织:32M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:700 ps
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-TFBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA(10x12.5)
  • 想获取MT46V32M16FN-5B:F TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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