MT41K256M16HA-125 M:E 是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片。它采用256M x 16的存储结构，提供高速并行数据访问，核心优势在于其低电压（1.35V）设计，在实现高达800MHz时钟频率（等效1600 MT/s数据传输速率）的同时，显著降低了系统功耗。
该器件采用96-TFBGA小型化封装，支持表面贴装，适用于空间紧凑的嵌入式设计。其13.75ns的访问时间和0°C至95°C的宽工作温度范围，确保了在工业控制、网络设备等要求苛刻的应用中具备可靠的性能表现。
- 型号:MT41K256M16HA-125 M:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（9x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
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