MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E是美光科技的一款集成式存储芯片，采用162-VFBGA封装，在一个器件内融合了4Gb NAND闪存和2Gb LPDDR2 DRAM。这种混合架构通过并联接口工作，旨在通过DRAM作为高速缓存来优化NAND闪存的访问性能，尤其适用于需要兼顾数据永久存储与高速读写的应用场景。
该芯片核心参数包括1.8V工作电压、533MHz的LPDDR2时钟频率以及-25°C至85°C的工业级工作温度范围。其设计显著减少了系统设计的复杂性和占板面积，为嵌入式系统提供了高集成度的存储解决方案。尽管产品状态为停产，但其技术设计思路对于理解混合存储系统的优势仍有重要参考价值。
- 型号:MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:162-VFBGA（11.5x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
- 存储容量:4Gb（NAND），2Gb（LPDDR2）
- 存储器组织:512M x 8（NAND），64M x 32（LPDDR2）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.8V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:162-VFBGA
- 供应商器件封装:162-VFBGA（11.5x13）
- 想获取MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
