MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR是美光科技的一款集成式存储器芯片，采用137-TFBGA封装，在同一封装内集成了4Gb NAND闪存和4Gb移动LPDRAM。该设计通过并联接口，为系统提供了非易失性存储与高速工作内存的一体化解决方案，旨在优化电路板空间和系统功耗。
该器件核心优势在于其高集成度与低功耗特性。NAND闪存配置为512M x 8位，LPDRAM配置为128M x 32位，后者支持200MHz的运行频率，保障了数据存取速度。其工作电压范围为1.7V至1.95V，工作温度范围为-25°C至85°C，非常适合对尺寸、能效和可靠性有严苛要求的移动及嵌入式应用。
- 型号:MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:137-TFBGA（10.5x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137TFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:闪存 - NAND，移动 LPDRAM
- 存储容量:4Gb（NAND），4Gb（LPDRAM）
- 存储器组织:512M x 8（NAND），128M x 32（LPDRAM）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:137-TFBGA
- 供应商器件封装:137-TFBGA（10.5x13）
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