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MICRON
MT46V128M4CY-5B:J TR的图片

MT46V128M4CY-5B:J TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
原厂封装:产品封装:60-TFBGA
优势价格,MT46V128M4CY-5B:J TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT46V128M4CY-5B:J TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT46V128M4CY-5B:J TR是美光科技推出的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片,采用128M x 4的并行架构。该器件基于DDR技术,在200MHz时钟频率下运行,实现高效数据传输,其核心电压为2.5V~2.7V,访问时间仅为700ps,具备快速响应能力。

芯片采用60-TFBGA封装,以卷带形式供货,适用于表面贴装工艺,工作温度范围为0°C至70°C,满足商业级应用环境要求。该产品目前已停产,主要适用于现有系统的维护与特定项目。

  • 制造商产品型号:MT46V128M4CY-5B:J TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR
  • 存储容量:512Mb(128M x 4)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:200MHz
  • 写周期时间-字,页:15ns
  • 访问时间:700ps
  • 电压-供电:2.5V ~ 2.7V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:60-TFBGA
  • 想获取MT46V128M4CY-5B:J TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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