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MICRON
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR的图片

MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168VFBGA
原厂封装:封装:168-VFBGA(12x12)
优势价格,MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR是Micron Technology的一款集成NAND Flash与LPDDR2 DRAM的混合存储器芯片,采用168-VFBGA封装。该器件在一个紧凑的封装内提供了4Gb非易失性NAND存储和4Gb高速LPDDR2 DRAM,有效节省了PCB空间并简化了系统设计。

其LPDDR2部分运行时钟频率高达533MHz,为应用程序提供了快速的数据缓存和处理能力,而NAND部分则确保了数据的非易失存储。该芯片工作电压为1.8V,支持-25°C至85°C的工业级温度范围,适用于对可靠性、功耗和体积有严格要求的嵌入式系统。

  • 型号:MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:168-VFBGA(12x12)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失性,易失性
  • 存储器格式:FLASH,RAM
  • 技术:FLASH - NAND,DRAM - LPDDR2
  • 存储容量:4Gb(NAND),4Gb(LPDDR2)
  • 存储器组织:256M x 16(NAND),128M x 32(LPDDR2)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.8V
  • 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:168-VFBGA
  • 供应商器件封装:168-VFBGA(12x12)
  • 想获取MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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