EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR是美光科技推出的一款512Mb容量移动LPDDR2 SDRAM，采用16M x 32的并联架构。该器件在533MHz的时钟频率下运行，能够提供满足现代移动设备需求的数据带宽。

其核心优势在于优异的功耗管理，工作电压范围宽达1.14V至1.95V，并支持LPDDR2标准中的多种低功耗模式，非常适合电池供电的便携式应用。同时，其-40°C至105°C的宽工作温度范围和紧凑的134-VFBGA封装，进一步保障了在空间受限及环境严苛的嵌入式系统中的可靠性与集成度。

• 型号:EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-VFBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:16M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-VFBGA
• 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5）
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