MT29F8G08ABCBBH1-12:B是美光科技推出的一款8Gb（1G x 8）容量NAND闪存芯片，采用并联接口，最高时钟频率为83MHz。该器件基于非易失性存储技术，电压供电范围为2.7V ~ 3.6V，工作温度覆盖0°C ~ 70°C，采用100-VBGA表面贴装封装。
其核心卖点在于提供了成熟的并行闪存解决方案，适用于需要稳定、中等容量数据存储的嵌入式系统。尽管产品状态已停产，但其技术参数在历史设计及特定延续性项目中仍具参考意义，体现了高集成度与可靠性的平衡。
- 型号:MT29F8G08ABCBBH1-12:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 100VBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
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