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MICRON
MT46V32M8BG-6:G TR的图片

MT46V32M8BG-6:G TR

美光(MICRON)图标
存储器芯片
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DDR SDRAM 256MBIT 6NS 60FBGA
原厂封装:60-FBGA
优势价格,MT46V32M8BG-6:G TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT46V32M8BG-6:G TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT46V32M8BG-6:G TR是美光科技生产的一款256Mbit容量DDR SDRAM存储器芯片。其核心组织架构为32M字深、8位宽(32M x 8),采用双倍数据速率技术,在时钟的上升沿和下降沿均可传输数据,有效提升了数据传输带宽。

该器件关键参数包括6ns的访问速度,支持高速数据传输;工作电压范围为2.3V至2.7V,在性能和功耗间取得良好平衡;采用标准的并联接口和60-FBGA紧凑封装。这些特性使其成为需要中等容量、可靠运行内存的各类嵌入式系统和网络通信设备的理想选择。

  • Micron美光半导体完整型号:MT46V32M8BG-6:G TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DDR SDRAM 256MBIT 6NS 60FBGA
  • 系列:-
  • 格式 - 存储器:RAM
  • 存储器类型:DDR SDRAM
  • 存储容量:256M(32M x 8)
  • 速度:6ns
  • 接口:并联
  • 电压 - 电源:2.3 V ~ 2.7 V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳:60-FBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA(8x14)
  • 想获取MT46V32M8BG-6:G TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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