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MICRON
MT47H64M8B6-37E:D TR的图片

MT47H64M8B6-37E:D TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
原厂封装:封装:60-FBGA
优势价格,MT47H64M8B6-37E:D TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H64M8B6-37E:D TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H64M8B6-37E:D TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片,采用64M x 8位的组织架构。该器件基于并联接口和表面贴装的60-FBGA封装,核心优势在于其高速数据传输能力,时钟频率达267MHz,配合DDR2双倍数据速率技术,实现了高效的数据吞吐。

其关键参数包括1.7V至1.9V的低工作电压范围,500ps的快速访问时间,以及0°C至85°C的宽工作温度范围,确保了在商业级应用中的性能与可靠性。这些特性使其适用于对内存带宽和响应速度有明确要求的嵌入式系统及工业设备。

  • 型号:MT47H64M8B6-37E:D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-FBGA
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:512Mb
  • 存储器组织:64M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:267 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:500 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-FBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA
  • 想获取MT47H64M8B6-37E:D TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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