MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B是美光科技生产的一款大容量、高性能NAND闪存芯片。该器件采用并联接口，存储容量高达1.125Tb（144GB x 8位组织），并支持高达333MHz的时钟频率，旨在提供卓越的数据传输带宽，满足高速数据读写的应用需求。
其核心基于非易失性闪存技术，工作电压范围为2.5V至3.6V，确保了与多种系统平台的兼容性。芯片采用132-VBGA表面贴装封装，适用于高密度PCB布局。该产品主要针对需要大容量本地存储和高吞吐性能的商业级应用场景。
- 型号:MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1.125TBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1.125Tb
- 存储器组织:144G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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