MT49H8M36SJ-25:B TR

MT49H8M36SJ-25:B TR是美光科技推出的一款288Mb容量并行DRAM，采用8M x 36的组织结构。该器件核心优势在于其高带宽并行接口，支持高达400MHz的时钟频率，结合20ns的访问时间，能够为系统提供快速的数据吞吐能力，有效满足实时数据处理的需求。

该芯片工作电压为1.7V至1.9V，采用144-TFBGA表面贴装封装，可在0°C至95°C（TC）的工业级温度范围内稳定运行。其易失性存储特性和并联接口使其成为网络设备、嵌入式系统及视频处理等应用中，构建高速数据缓冲区的理想选择。

• 型号:MT49H8M36SJ-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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