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MICRON
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B的图片

MT29F512G08CMCBBH7-6R:B

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
原厂封装:封装:152-TBGA(14x18)
优势价格,MT29F512G08CMCBBH7-6R:B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29F512G08CMCBBH7-6R:B的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29F512G08CMCBBH7-6R:B 是美光科技推出的一款 512Gb(64GB)容量、采用并联接口的 NAND 闪存芯片。该器件基于闪存技术,采用 152-TBGA 封装,支持表面贴装,其核心优势在于高达 166MHz 的时钟频率2.7V ~ 3.6V 的宽电压供电范围,能够提供高速、稳定的数据读写性能。

作为一款非易失性存储器,它适用于需要大容量数据存储且对断电数据保存有要求的应用。其商业级工作温度范围(0°C ~ 70°C)确保了在常见环境下的可靠性。该产品为构建高密度存储解决方案提供了关键组件。

  • 型号:MT29F512G08CMCBBH7-6R:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:152-TBGA(14x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NAND(MLC)
  • 存储容量:512Gb
  • 存储器组织:64G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:152-TBGA
  • 供应商器件封装:152-TBGA(14x18)
  • 想获取MT29F512G08CMCBBH7-6R:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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