MT29F1G16ABBDAHC-IT:D TR是美光科技生产的一款1Gb（64M x 16位）容量NAND闪存芯片，采用并行接口和63-VFBGA封装。该器件属于非易失性存储器，可在断电后长期保存数据，其核心卖点在于1.7V~1.95V的低电压操作与-40°C至85°C的工业级工作温度范围，兼顾了能效与环境适应性。
作为一款成熟的并行NAND闪存解决方案，它提供了较高的数据吞吐带宽，适用于需要可靠固件存储或中等数据缓冲的应用。其表面贴装形式便于集成到空间紧凑的PCB设计中。尽管产品状态已标注为停产，但其技术参数和可靠性设计在相应的工业与嵌入式应用领域仍具有参考价值。
- 型号:MT29F1G16ABBDAHC-IT:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（10.5x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
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