MT29F2T08EMHBFJ4-R:B

MT29F2T08EMHBFJ4-R:B是美光科技生产的一款2Tb容量NAND闪存芯片，采用先进的3D TLC技术和并联接口。该芯片以256G x 8位的架构组织，在132-VBGA的紧凑封装内实现了高密度数据存储，其1.7V至1.95V的工作电压范围优化了能效。

作为非易失性存储器，它提供了可靠的数据持久化能力。其核心卖点在于将巨大的存储容量、主流的TLC存储技术以及适用于高速数据读写的并行接口整合于一体，主要服务于企业存储、数据中心及高端嵌入式系统等对存储空间和性能有严苛要求的应用场景。

• 制造商产品型号：MT29F2T08EMHBFJ4-R:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 2TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：2Tb（256G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• 想获取MT29F2T08EMHBFJ4-R:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料