MT46V32M16CY-5B AAT:J是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用32M x 16位的组织架构。该器件基于DDR技术，在200MHz的时钟频率下可实现400MT/s的数据传输速率，提供高效的数据吞吐能力，其700ps的访问时间和15ns的写周期时间确保了快速的读写响应。
该芯片采用2.3V至2.7V供电，功耗控制良好，并支持-40°C至105°C的宽工作温度范围，满足工业及扩展温度环境应用的可靠性要求。其采用60-TFBGA表面贴装封装，节省空间并利于散热。作为一款并联接口的易失性DRAM，它适用于需要中等容量、较高性能内存的各类嵌入式系统解决方案。
- 型号:MT46V32M16CY-5B AAT:J
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
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